نئی دہلی،8  اپریل 2022/

تحقیق کاروں نے  آئندہ نسل کے  ٹرانسسٹر کے لئے 2ڈی منولیئرس کے ساتھ  کم کونٹیکٹ والے ریسسٹنس  میٹل سیمی کنڈیکر   شماریاتی  حساب سے ڈیزائن کئے ہیں جو    آلات کی کارکردگی   کو بہت بہتر بنائیں گے ۔ 2ڈی ہنی کوم لیٹیو میں  کاربن ایٹم کی ایک فلیٹ مونو لیئر   کی گرافین   کی دریافت سے   دو  رخی (2ڈی) حلقے میں  تحقیق کاروں کے لئے  زبردست دلچسپی پیدا کرتی ہے۔  الیکٹرانک اور  سوئچنگ  کے آلات میں  پرسٹائن گرافین  میں ریسسٹنس کی کمی   ایک بڑی رکاوٹ  تھی۔  اس سے گذرنے والے کرنٹ کو کنٹرول نہیں کیا جاسکتا تھاا ور   کھولنے یا بند کرنے کی صورت میں اس کے ذریعہ    کرنٹ کے بہاؤ کو  نہیں روکا جاسکتا تھا۔ اس لئے 2ڈی سیمی کنڈیکٹر   گرافین   کی خامیوں کی وجہ سے  ابھر کر سامنے آئے ہیں۔

2 ڈ ی کی سطح پرنئی  خصوصیات کا مشاہدہ کیا گیا ہے۔ ایک الیکٹران کی   چارج اور اسپن  دو معروف خصوصیات ہیں ۔ چارج سے لے کر اسپن تک  تبدیلی  2 ڈی مادےمیں  ذرات کے اسپن  اور اس کےموشن  کی وجہ سے  پیدا ہوتی ہے۔   مضبوط  ایس او سی   خودکار   باریک  اسپن فیلڈ ایفکٹ کے ٹرانسسٹر میں  ایپلی کیشن کے لئے ضروری ہے۔   

مادے کی الیکٹرانک خصوصیات  کے ماڈل   میٹل سیمی کنڈیکٹر  کونٹیکٹ ریسسٹنس  آلات کی کارکردگی   کو بہتر بنانے کے لئے  ایک نعمت ثابت ہوئے ہیں۔  

 انڈین انسٹی ٹیوٹ آف نینو سائنس اینڈ ٹکنالوجی (آئی این ایس ٹی) کے  ، جو سائنس اور ٹکنالوجی   کے محکمے کے تحت   ایک خود مختار ادارہ ہے ، سائنس دانوں نے    نئے 2 ڈی سیمی کنڈیکٹنگ مونو لیئر    (MgX X=S, Se, Te) جن میں  ہائی چارج  کئریئر موبلیٹی موجود ہے۔

مجوزہ مونولیئر اپنے آپ میں منفرد ہیں کیونکہ  یہ  ایک مشترکہ لچک کے حامل ہیں اور پیزوالیکٹرک خصوصیات کے حامل ہیں جس کی وجہ سے یہ  مستقبل کے  نینو الیکٹرانک آلات کے لئے   بہت   مطلوب بن گئے ہیں۔  

 ان نئے 2 ڈی مونولیئرس  کو   بیرون الیکٹرک فیلڈ   میں متوازی استعمال کے ذریعہ     الیکٹرانک آلات میں  معلومات اسٹور کرنے    کے لئے کیا جاسکتا ہے۔   ایک دوسرے سے مربوط اسٹرکچر کے ساتھ ان ورژن   سمیٹری میں رکاوٹ سے    ان مونو لیئرس میں   پیزو الیکٹرسٹی   میں  ہائی   آؤٹ آف پلین   کرنٹ پیدا ہوتا ہے جسے   ورٹیکل اسٹرین میں  پیزو پوٹنشنل    پیدا کرنے کے لئے  جاسکتا ہے۔  

فزکس  ریوائز بی نے  شائع ایک تحقیق  میں  سائنس داں  پرفیسر ابیر ڈی سرکار  اور ان کے پی ایچ ڈی کے طلبا   منیش کمار مہناتا اور انو اروڑہ نے  سیمی میٹل  گرافین اور ایم جی   ایس کے درمیان لو کونٹکٹ ریسسٹنس   کی تلاش کی ہے۔    انہوں نے    گرافین اور ایم جی ایس    کے جنکشن پر    نون ریسسٹیو   کانٹیکٹ    کامشاہدہ کیا   جو ایک  نایاب اور   تمام چینلوں میں  چارج ٹرانسپورٹ   کے لئے ایک بہت   مطلوبہ صورتحال ہے۔   الیکٹریکل کونٹریکٹ کی خصوصیات   الیکٹرک فیلڈ  کے ورٹیکل  اسٹرین کے استعمال سے حاصل کی جاتی ہے۔  اس تحقیق میں پرسٹائن  گرافی  -اینڈ گیپ اوپننگ   وایا  نون انویزیو  کا حل پیش کیا ہے۔  گرافین پر مبنی   الیکٹرانک   اور اسپن   ٹرونک آلات   میں بھی استعمال کیاجاسکتاہے۔    

شماریات دریافت  سے امید ہے  کہ تجربہ کرنے والے سائنس داں    الیکٹرانک آلات  جیسے   پیزوفیلڈ ایفکٹ ٹرانسسٹر س  کو تیار کرنے میں  تحریک دیں گے۔

اشاعت

https://pubs.rsc.org/en/content/articlelanding/2021/nr/d1nr00149c

https://journals.aps.org/prb/abstract/10.1103/PhysRevB.104.165421

مزید تفصیلات کے لئے  آئی این ایس ٹی  کے ڈین  (اکیڈمکس)  پروفیسر ابیر ڈی سرکار    سے رابطہ کریں۔   (abir@inst.ac.in).

*************

ش ح۔   و ا ۔ج

Uno-4038

(Release ID: 1814951) Visitor Counter : 148