سائنس اور ٹیکنالوجی کی وزارت

الٹرا ہائی موبلیٹی الیکٹران گیس آلات میں معلومات منتقل کرنے کی رفتار اور ڈیٹا اسٹوریج کی کثافت کو بڑھاسکتی ہے

پنجاب کے موہالی واقع آئی این ایس ٹی کےسائنس دانوں نے ایک الٹرا ہائی موبلٹی 2-ڈی الیکٹران گیس (2 ڈی ای جی) بنائی ہے

یہ تحقیق ڈیوائس فزکس کے ایک نئے میدان ، خصوصی طور پر آئندہ نسل کے ڈیٹا اسٹوریج کونٹم کمپیوٹر کے لئے مناسب کونٹم تکنیک کے میدان میں امکانات کے دروازے کھول سکتی ہے

Posted On: 12 JAN 2021 3:39PM by PIB Delhi

 

 

نئی دہلی،12 جنوری 2021./ سائنس دانوں نے الٹرا-ہائی موبلٹی کے ساتھ  الیکٹران گیس تیار کی ہے  جو کہ   کسی ڈیوائز کے  ایک حصے سے دوسرے حصے تک کونٹم معلومات اور سگنل کی منتقلی کی رفتار  اور ڈیٹا اسٹوریج و میموری کو بڑھا سکتی ہے۔

جدید الیکٹرانک ڈیوائسیز (آلات) میں کام کی نئی صلاحیت حاصل کرنے کی  ضرورت کی وجہ سے ایک الکٹران کی خوبی میں  اس کے   چارج کے ساتھ پھیر بدل کیا گیاجسے  اسپن ڈگری آف  فریڈم کہا جاتا ہے۔ اس نے اسپن الیکٹرانک  یا  اسپن ٹرانکس  کے ایک نئے  میدان کو ابھارا ہے۔ یہ محسوس کیا گیا کہ ’رشبا اثر ‘ نام کا ایک فنومینا  جس میں  الیکٹرانک نظام میں  اسپن بینڈ کاٹوٹنا ہوتا ہے۔ اسپن   ڈیوائز میں ایک  اہم رول نبھا سکتی ہے۔

حکومت ہند  کے سائنس اور ٹکنالوجی کے محکمے (ڈی ایس ٹی) کے ایک خود مختار ادارہ نینو سائنس اور ٹکنالوجی  انسٹی ٹیوٹ (آئی این ایس ٹی)  ماحول پنجاب  کے  سائنس دانوں نے 2 انسولیٹ آکسایڈ پرتوں کے   انٹرفیس پر  ایک الٹراہائی  موبلٹی  2-ڈی  الیکٹران گیس (2ڈی ای جی) کو تیار کیا ہے ۔

الیکٹران گیس کی ہائی  موبلیٹی  کی وجہ سے الیکٹران طویل فاصلہ کے لئے میڈیم کے اندر  ٹکراتے نہیں ہیں اور اس لئے میموری اور  معلومات کو  گنواتے نہیں ہیں۔ اس لئے  اس طرح کے  نظام  طویل وقت تک اور دوری تک اپنی میموری کو آسانی سے  یاد رکھ سکتی ہیں اور ان کی منتقلی کرسکتی ہیں۔ نیز ، جیسے کہ وہ اپنے بہاؤ کے دوران کم ٹکراتے ہیں ، ان کی مزاحمت بہت کم ہوتی ہے ، لہذا وہ گرمی کی طرح توانائی کو ختم نہیں کرتے ہیں۔ لہذا ، اس طرح کے آلات آسانی سے گرم نہیں ہوتے ہیں اور کام کرنے کیلئے کم اِن پٹ توانائی کی ضرورت ہوتی ہے۔

ڈی ایس ٹی نانو مشن کی گرانٹ کے ذریعہ ایک نفیس ، خصوصی طور پر تعمیر شدہ آلہ جس کی مدد سے کمبینیٹریل پلسیڈ لیزر ڈپازٹ سیٹ اپ ، ایسوسی ایٹ پروفیسر ڈاکٹر ، سوونکر چکرورتی ، انسٹی ٹیوٹ آف نینو سائنس اینڈ ٹکنالوجی(آئی این ایس  ٹی)، موہالی ، پنجاب ، کیمیکلای یو او اور کیٹ اے او 3 کہتے ہیں۔ نے ایک نئے انٹرفیس پر الٹرا موبلٹی کے ساتھ 2 ڈی ای جی تیار کیا ہے۔ الیکٹرانوں کی مضبوط اسپن مدار جوڑی اور 2 ڈی ای جی میں الیکٹرانوں کی نسبتی نوعیت کے نتیجے میں 'رشبا فیلڈ' نکلا۔ یہ تحقیق ایڈوانس کوانٹم ٹیکنالوجیز جریدے میں شائع ہوئی تھی۔

آئی این ایس ٹیمیں ٹیم کے مطابق ، انتہائی موبائل الیکٹران گیسوں کے ساتھ اس طرح کے آکسائڈ انٹرفیس پر بڑی تیزی سے اثرات طبیعیات کے ایک نئے شعبے میں امکانات کے دروازے کھول سکتے ہیں ، خاص طور پر اگلی نسل کے ڈیٹا اسٹوریج میڈیا اور کوانٹم کمپیوٹرز کے لئے موزوں کوانٹم ٹیکنالوجی۔

 

ش ح۔ ش ت۔ج

Uno-325

 



(Release ID: 1688356) Visitor Counter : 4