ਇੰਸਟੀਟਿਊਟ ਆਵ੍ ਨੈਨੋ ਸਾਇੰਸ ਐਂਡ ਟੈਕਨੋਲੋਜੀ (ਆਈਐੱਨਐੱਸਟੀ) ਮੋਹਾਲੀ, ਵਿਗਿਆਨ ਅਤੇ ਟੈਕਨੋਲੋਜੀ ਵਿਭਾਗ ਤਹਿਤ ਕੰਮ ਕਰਦੀ ਇੱਕ ਖੁਦਮੁਖਤਿਆਰ ਸੰਸਥਾ ਦੇ ਖੋਜਕਾਰਾਂ ਨੇ ਕੰਪਿਊਟਰ ਅਧਾਰਿਤ ਨੈਨੋ ਮੈਟੀਰੀਅਲ ਦੇ ਡਿਜ਼ਾਈਨ ਸੁਪਰ ਹਾਈ ਪਾਈਜ਼ੋਇਲੈਕਟ੍ਰੀਸਿਟੀ (designs of nano-materials with superhigh piezoelectricity) ਨਾਲ ਤਿਆਰ ਕੀਤੇ ਹਨ ਜੋ ਕਿ ਭਵਿੱਖ ਵਿੱਚ ਅਗਲੀ ਪੀੜੀ  ਦੇ ਅਲਟਰਾਥਿਨ ਨੈਨੋ ਟਰਾਂਜ਼ਿਸਟਰਾਂ  ਨਾਲ ਲੈਸ ਬੇਹੱਦ ਛੋਟੇ ਆਕਾਰ ਦੇ ਬਿਜਲੀ ਉਪਕਰਣਾਂ ਦੇ ਬੁਨਿਆਦੀ ਤੱਤ ਸਿੱਧ ਹੋ ਸਕਦੇ ਹਨ।

ਪਾਈਜ਼ੋਇਲੈਕਟ੍ਰੀਸਿਟੀ ਦਾਬ ਵਿੱਚ ਪੈਦਾ ਹੋਣ ਵਾਲੀ ਬਿਜਲੀ ਨੂੰ ਕਹਿੰਦੇ ਹਨ। ਇਸ ਦੀ ਵਰਤੋਂ ਨੇ ਸਾਡੀ ਰੋਜ਼ਾਨਾ ਜ਼ਿੰਦਗੀ ਨੂੰ ਲਾਈਟਰਾਂ, ਪ੍ਰੈਸ਼ਰ ਗਾਜ਼, ਸੈਂਸਰਜ਼ ਆਦਿ ਦੀ ਵਰਤੋਂ ਨਾਲ ਆਸਾਨ ਬਣਾ ਦਿੱਤਾ ਹੈ।

2ਡੀ ਸਮਾਨ ਵਿੱਚ ਪਾਈਜ਼ੋਇਲੈਕਟ੍ਰੀਸਿਟੀ ਦੀ ਵਰਤੋਂ ਦੀ ਪਹਿਲੀ ਵਾਰੀ ਭਵਿੱਖਬਾਣੀ 2012 ਵਿੱਚ ਸਿਧਾਂਤਕ  ਤੌਰ ਤੇ ਕੀਤੀ ਗਈ ਸੀ ਅਤੇ ਬਾਅਦ ਵਿੱਚ ਇਸ ਦੀ ਵਰਤੋਂ ਤਜਰਬਾਤੀ ਤੌਰ ਤੇ ਮੋਨੋਲੇਅਰ ਵਿੱਚ 2014 ਵਿੱਚ ਕੀਤੀ ਗਈ ਸੀ। ਉਸ ਵੇਲੇ ਤੋਂ ਲੈ ਕੇ ਪਾਈਜ਼ੋਇਲੈਕਟ੍ਰੀਸਿਟੀ ਦੇ ਖੋਜ ਹਿੱਤਾਂ ਵਿੱਚ ਗ੍ਰਾਫੀਨ ਵਰਗੇ ਦੋ ਦਿਸ਼ਾਵੀ (2ਡੀ) ਸਮਾਨ ਦੀ ਵਰਤੋਂ ਵਿੱਚ ਤੇਜ਼ੀ ਆਈ। ਨਤੀਜੇ ਵਜੋਂ 2ਡੀ ਸਮਾਨ ਵਿੱਚ ਪਾਈਜ਼ੋਇਲੈਕਟ੍ਰੀਸਿਟੀ ਦੇ ਖੇਤਰਾਂ ਵਿੱਚ ਖੋਜ ਵਿੱਚ ਤੇਜ਼ੀ ਆਈ ਤਾਕਿ 2ਡੀ ਸਮਾਨ ਵਿੱਚ ਪਾਈਜ਼ੋਇਲੈਕਟ੍ਰੀਸਿਟੀ ਨੂੰ ਸ਼ਾਮਲ ਕੀਤਾ ਜਾਵੇ ਜਾਂ ਵਧਾਇਆ ਜਾ ਸਕੇ ਪਰ ਅੱਜ ਤੱਕ ਜੋ ਵਧੇਰੇ 2ਡੀ ਸਮਾਨ ਦਾ ਪਤਾ ਲੱਗਾ ਹੈ ਉਹ ਮੁੱਖ ਤੌਰ ‘ਤੇ ਪਾਈਜ਼ੋਇਲੈਕਟ੍ਰੀਸਿਟੀ ਦੇ ਸ਼ੋਅ ਇਨ ਪਲੇਨ ਵਿੱਚ ਨਜ਼ਰ ਆਇਆ ਹੈ ਪਰ ਯੰਤਰ ਅਧਾਰਿਤ ਵਰਤੋਂ ਲਈ ਪਾਈਜ਼ੋਇਲੈਕਟ੍ਰੀਸਿਟੀ ਦੀ ਆਊਟ ਆਫ  ਪਲੇਨ ਵਰਤੋਂ ਲੋੜੀਂਦੀ ਹੈ,  ਹੋਰ ਜ਼ਿਆਦਾ ਲੋੜੀਂਦੀ ਹੈ ਅਤੇ ਇਸ ਦੀ ਮੰਗ ਵੀ ਹੈ। 

ਪ੍ਰੋ. ਅਬੀਰ ਡੀ ਸਰਕਾਰ ਅਤੇ ਉਨ੍ਹਾਂ ਦੇ ਪੀਐੱਚਡੀ ਦੇ ਵਿਦਿਆਰਥੀ ਮਨੀਸ਼ ਕੁਮਾਰ ਮਲਹੋਤਰਾ ਨੇ ਆਪਣੇ ਨੈਨੋ ਸਕੇਲ ਅਤੇ ਅਮਰੀਕਨ ਕੈਮੀਕਲ ਸੁਸਾਇਟੀ ਵਿੱਚ ਹਾਲ ਹੀ ਵਿੱਚ ਪ੍ਰਕਾਸ਼ਿਤ 2 ਡੀ ਨੈਨੋਸਟ੍ਰੱਕਚਰ ਵਿੱਚ ਇਕ ਮੋਨੋਲੇਅਰ ਨੂੰ ਦੂਸਰੇ ਉੱਤੇ ਚੜ੍ਹਾਉਣ ਦੇ ਜ਼ਰੀਏ ਸੁਪਰ ਆਊਟ ਆਫ ਪਲੇਨ ਪਾਈਜ਼ੋਇਲੈਕਟ੍ਰੀਸਿਟੀ ਦੀ ਨਵੀਂ ਤਕਨੀਕ ਪ੍ਰਦਰਸ਼ਿਤ ਕੀਤੀ ਹੈ।

ਪਾਈਜ਼ੋਇਲੈਕਟ੍ਰਿਸਿਟੀ ਦਾ ਅਜਿਹਾ ਤਜਰਬਾ ਆਯਾਮੀ ਵੈਨ ਡਰ ਵਾਲਸ ਹੈਟਰੋਸਟਰਕਚਰ ਤਕਨੀਕ ਉੱਤੇ ਅਧਾਰਿਤ ਹੈ ਜਿਸ ਵਿੱਚ ਦੋ ਆਯਾਮੀ ਮੋਨੋਲੇਅਰ ਸ਼ਾਮਿਲ ਕੀਤੇ ਜਾਂਦੇ ਹਨ। ਨੈਨੋ ਸਮਗਰੀਆਂ ਦੇ ਡਿਜ਼ਾਈਨ ਦੀ ਇਹ ਇਕ ਨਵੀਂ ਤਕਨੀਕ ਹੈ, ਜਿੱਥੇ ਆਪਸੀ ਪੂਰਕ ਗੁਣਾਂ  ਵਾਲੇ ਵੱਖ ਵੱਖ ਮੋਨੋਲੇਅਰਜ਼ ਨੂੰ ਇਕੱਠੇ ਜੋੜ ਕੇ ਉਨ੍ਹਾਂ  ਦੀਆਂ  ਅੰਦਰੂਨੀ ਸੀਮਾਵਾਂ ਨੂੰ ਵਿਸਤਾਰ ਦਿੱਤਾ ਜਾਂਦਾ ਹੈ। ਪਾਈਜ਼ੋਇਲੈਕਟ੍ਰਿਸਿਟੀ ਦੀ ਅਜਿਹੀ ਵਰਤੋਂ ਦੋ ਆਯਾਮੀ ਵੈਨ ਡੇਰ ਵਾਲਜ਼ ਹੈਟਰੋਸਟਰਕਚਰ ਤਕਨੀਕ ਉੱਤੇ ਅਧਾਰਿਤ ਹੈ ਜਿਸ ਵਿੱਚ ਦੋ ਆਯਾਮੀ ਮੋਨੋਲੇਅਰ ਸ਼ਾਮਿਲ ਕੀਤੇ ਜਾਂਦੇ ਹਨ। ਨੈਨੋ ਸਮਗਰੀਆਂ ਦੇ ਡਿਜ਼ਾਈਨ ਦੀ ਇਹ ਇੱਕ ਨਵੀਂ ਤਕਨੀਕ ਹੈ ਜਿੱਥੇ ਪਰਸਪਰ ਪੂਰਕ ਗੁਣਾਂ ਵਾਲੇ ਵੱਖ-ਵੱਖ ਮੋਨੋਲੇਅਰਜ਼ ਨੂੰ ਇਕੱਠੇ ਜੋੜ ਕੇ ਉਨ੍ਹਾਂ ਦੀਆਂ  ਅੰਦਰੂਨੀ ਸੀਮਾਵਾਂ ਨੂੰ ਵਿਸਤਾਰ ਦਿੱਤਾ ਜਾਂਦਾ ਹੈ। ਇਸ ਪ੍ਰਕਿਰਿਆ ਵਿੱਚ ਵੱਖ-ਵੱਖ ਕਾਰਕ ਇਲੈਕਟ੍ਰੌਨਿਕ ਗੁਣਾਂ ਨੂੰ ਪ੍ਰਭਾਵਿਤ ਕਰਦੇ ਹਨ. ਨਤੀਜੇ ਵਜੋਂ ਇਨ੍ਹਾਂ ਵਿੱਚ ਆਊਟ ਆਫ ਪਲੇਨ ਪਾਈਜ਼ੋਇਲੈਕਟ੍ਰਿਸਿਟੀ ਦੀ  ਵਰਤੋਂ ਨੂੰ ਵੇਖਿਆ ਜਾ ਸਕਦਾ ਹੈ।

ਨੈਨੋਮਿਸ਼ਨ ਅਤੇ ਵਿਗਿਆਨਕ ਅਤੇ ਉਦਯੋਗਿਕ ਖੋਜ ਪ੍ਰੀਸ਼ਦ (ਸੀਐੱਸਆਈਆਰ) ਤਹਿਤ ਵਿਗਿਆਨ ਅਤੇ ਟੈਕਨੋਲੋਜੀ ਵਿਭਾਗ ਦੁਆਰਾ ਵਿੱਤ ਪੋਸ਼ਿਤ ਆਪਣੇ ਖੋਜ ਕਾਰਜਾਂ ਵਿੱਚ ਉਨ੍ਹਾਂ ਨੇ ਭਵਿਖਬਾਣੀ ਕੀਤੀ ਹੈ ਕਿ ਉਨ੍ਹਾਂ ਦੁਆਰਾ ਡਿਜ਼ਾਈਨ ਕੀਤੀਆਂ ਗਈਆਂ ਸਮਗਰੀਆਂ ਦੇ ਸੁਪਰ ਹਾਈ ਆਊਟ ਆਵ੍ ਪਲੇਨ ਪਾਈਜ਼ੋਇਲੈਕਟ੍ਰੋਸਿਟੀ ਤੱਤ 40.33 ਪੀਐੱਮ ਵੀ ਦੇ ਉੱਚੇ ਪੱਧਰ ਉੱਤੇ ਪਹੁੰਚ ਸਕਦੇ ਹਨ ਜੋ ਆਮ ਤੌਰ ‘ਤੇ ਉਦਯੋਗਾਂ ਵਿੱਚ ਵਰਤੀ ਜਾਣ ਵਾਲੀ wurziteAlN (5.1 pm / V) ਅਤੇ GaN (3.1 pm / V) ਦੇ ਮੁਕਾਬਲੇ ਵਿੱਚ ਬਹੁਤ ਜ਼ਿਆਦਾ ਹੈ। ਛੋਟੇ ਸਾਈਜ਼ ਦੇ ਬਿਜਲੀ ਉਪਕਰਣਾਂ ਦੇ ਵਧਦੇ ਰਿਵਾਜ਼ ਕਾਰਣ ਸੁਪਰਫਾਸਟ ਅਲਟ੍ਰਾਥਿਨ ਨੈਨੋ ਉਪਕਰਣ ਅਤੇ ਨੈਨੋ ਟਰਾਂਜ਼ਿਸਟਰਾਂ ਦੀ ਮੰਗ ਵਿੱਚ ਲਗਾਤਾਰ ਤੇਜ਼ੀ ਆ ਰਹੀ ਹੈ। ਅਜਿਹੀ ਸਥਿਤੀ ਵਿੱਚ ਭਵਿੱਖ ਬਹੁਤ ਛੋਟੇ ਆਕਾਰ ਦੇ ਬਿਜਲੀ ਉਪਕਰਣਾਂ ਲਈ ਇਹ ਬੁਨਿਆਦੀ ਸਮਗੱਰੀ ਬਣ ਸਕਦੇ ਹਨ।

ਕੰਪਿਊਟਰਾਂ ਅਤੇ ਲੈਪਟੌਪ ਦੇ ਮਦਰ ਬੋਰਡ ਵਿੱਚ ਵਰਤੇ ਜਾਣ ਵਾਲੇ ਟਰਾਂਜ਼ਿਸਟਰ ਸਮਾਂ ਬੀਤਣ ਨਾਲ ਪਤਲੇ ਹੋ ਰਹੇ ਹਨ। ਅਜਿਹੀ ਸਥਿਤੀ ਵਿੱਚ ਪਾਈਜ਼ੋਇਲੈਕਟ੍ਰਿਸਿਟੀ ਅਤੇ ਇਲੈਕਟ੍ਰੌਨਿਕਸ ਦਰਮਿਆਨ ਤਾਲਮੇਲ ਨਾਲ ਇਨ੍ਹਾਂ ਅਲਟ੍ਰਾਥਿਨ , ਅਗਲੀ ਪੀੜ੍ਹੀ ਦੇ ਨੈਨੋ ਟਰਾਂਜ਼ਿਸਟਰ ਵਿੱਚ ਪਾਈਜ਼ੋਇਲੈਕਟ੍ਰਿਸਿਟੀ 

ਨੈਨੋਮੈਟੀਰੀਅਲਜ਼ ਦੀ ਵਰਤੋਂ ਕੀਤੀ ਜਾ ਸਕਦੀ ਹੈ।

******

ਕੇਜੀਐੱਸ/(ਡੀਐੱਸਟੀ)