بھارت رتن پروفیسر سی این آر راؤ اور ان کی ٹیم کے  ذریعہ کئے گئے ایک مطالعہ سے  پتہ چلا ہے کہ  ایٹم کی  اس  ترتیب نو  کی کھوج کی ہے جو بدلے ہوئے درجہ حرارت اور دباؤ کی وجہ سے لیڈ آئیوڈائڈ پیروسکائٹس کے ہر ایک  مرحلے کی منتقلی میں ہوتی ہے اور ان کے نتیجے میں آپٹو الیکٹرانک خصوصیات پر اثرات مرتب  ہوتے ہیں۔ اس طرح کے مطالعے سے قابل تجدید توانائی پیدا کرنے میں مدد مل سکتی ہے۔

حالیہ برسوں میں، لیڈ آئیوڈائڈ پیروسکائٹس کی حیرت انگیز طور پر اچھی آپٹو الیکٹریکل خصوصیات کی بدولت جو انہیں بہترین شمسی سیل مواد بناتی ہیں، بہت زیادہ توجہ مبذول ہوئی ہے۔ اگرچہ ان کی توانائی کی تبدیلی کی کارکردگی تجارتی سلکان پر مبنی شمسی خلیوں سے بھی زیادہ ہو سکتی ہے، لیکن لیڈ آئیوڈائڈ پیروسکائٹس فطری طور پر مستحکم مواد نہیں ہیں۔ مطالعات سے پتہ چلا ہے کہ یہ مواد  یکساں  حالات میں بھی مختلف ساختی تبدیلیوں (یا ’فیز ٹرانزیشن‘) سے گزرتے ہیں ۔

ایک نئے مطالعہ میں، حکومت ہند  کے  سائنس اور ٹیکنالوجی کے  محکمے کے تحت کام کرنے والے  ایک خود مختار ادارے جواہر لعل نہرو سینٹر فار ایڈوانسڈ سائنٹیفک ریسرچ (جے این سی اے ایس آر) بنگلورو کے پروفیسر پرتاپ وشنوئی اور پروفیسر سی این آر راؤ نے ہائبرڈ لیڈ آئیوڈائڈ پیروسکائٹس  کی تازہ ترین معلومات کی خامیوں اور حالیہ پیش رفت کا جائزہ لیا ۔ یہ مطالعہ رائل سوسائٹی آف کیمسٹری کے جرنل آف میٹریلز کیمسٹری اے میں شائع ہوا تھا اور اسے سابقہ سائنس اور انجینئرنگ ریسرچ بورڈ (ایس ای آر بی) جو کہ  اب اے این آر ایف  ہے،کے ذریعہ رامانوجن فیلوشپ کی مدد حاصل تھی۔

پروفیسر وشنوئی اور پروفیسر راؤ نے رپورٹ شدہ مرحلے کی منتقلی اور کرسٹل ڈھانچے پر موجودہ لٹریچر کی سو سے زیادہ اشاعتوں کا جائزہ لیا۔ انہوں نے ان مطالعات کے نتائج اور ان کے مصنفین کے ذریعہ استعمال کردہ تجرباتی طریقوں پر توجہ مرکوز کی۔ اس نقطہ نظر نے عام طور پر استعمال کی جانے والی تکنیکوں، جیسے کہ ایکس رے اور نیوٹران  ڈفریکشن  کی طاقتوں اور حدود کو اجاگر کیا۔ محققین نے لیڈ آئیوڈائڈ پیروسکائٹس  کے  کیمیائی عدم استحکام خصوصی طور پر اس وقت  جب یہ مواد مرطوب ہوا کے سامنے آتے ہیں تو یہ کیسے اور کیوں گل جاتے ہیں، کے موضوع کا  بھی  جائزہ لیا۔

خاص طور پر، درجہ حرارت اور دباؤ کی وجہ سے ہونے والی  مرحلے کی منتقلی ان مواد میں کافی مختلف ہوسکتی ہے۔ اس طرح، دو الگ الگ اہم حصے ان تبدیلیوں کی نوعیت کو عدم استحکام کے ذرائع کے طور پر تلاش کرنے، ان کے بنیادی میکانزم کو اجاگر کرنے   اور آپٹو الیکٹرانک خصوصیات پر ان کے نتیجے میں ہونے والے اثرات کے لیے وقف کیے گئے تھے۔

لیڈ آئیوڈائڈ پیروسکائٹس کے ساتھ ساتھ ہائبرڈ پیروسکائٹس کی دیگر اقسام کے بارے میں مزید مطالعات امید ہے کہ قابل تجدید توانائی کی زیادہ موثر پیداوار کا باعث بنیں گے۔ اگر ان کے عدم استحکام کے مسائل کو مؤثر طریقے سے حل کیا جاسکتا ہے، تو وہ شمسی خلیوں کے لئے بہت اچھا مواد بنا سکتے ہیں، کیونکہ وہ تھن فلمس میں  پروسیس کی جا سکتی ہیں۔ دیگر قابل ذکر استعمال کے معاملات تحقیق اور طبی سہولیات میں رنگین ایل ای ڈی اور ایکس رے شیلڈنگ ہیں۔

محققین  نے آئیوڈائڈ پیروسکائٹس کے ممکنہ مرحلہ  منتقلی کو سمجھنے کے لیے ایک جامع جائزہ لیا

تصویر بشکریہ: جرنل آف میٹریل کیمسٹری اے

پروفیسر وشنوئی اور پروفیسر سی این آر راؤ

اس کے علاوہ وہ توانائی کو ذخیرہ کرنے اور منتقل کرنے کے لیے مرحلے کی منتقلی کا فائدہ اٹھانے کا ایک دانشمندانہ طریقہ ہو سکتا ہے۔ جب کسی خاص  مرحلے کی منتقلی ہوتی ہے تو، پچھلی ترتیب میں جمع ہونے والی کچھ توانائی حرارت کے طور پر جاری کی جاتی ہے۔ یہ تھرمل انرجی اسٹوریج کے نظام کو تیار کرنے کے لیے مفید ہو سکتا ہے،  جو کہ پائیدار توانائی کے حل میں تعاون کرسکتا  ہے۔

اس میدان میں ممکنہ مستقبل کے بارے میں پرجوش، پروفیسر وشنوئی کہتے  ہیں ’’ہمارے نقطہ نظر سے جوہری سطح پر ڈھانچے کی فہم کی موجودہ سطح کو بلند کئے جانے   اور مستحکم آئیوڈائڈ پیروسکائٹس کو مزید ڈیزائن اور ترکیب کئے جانے سے  کچھ نئی حکمت عملی فراہم ہونے کی توقع ہے۔‘‘

اشاعت کا لنک: https://doi.org/10.1039/D3TA05315F

رابطہ کی تفصیلات:

مصنف کا نام: پروفیسر پرتاپ وشنوئی

ای میل آئی ڈی: pvishnoi@jncasr.ac.in

۔۔۔۔۔۔۔۔۔۔۔

ش ح۔  ا گ۔ن ا۔

U- 5961

(Release ID: 2013520) Visitor Counter : 149